Технологија обраде полупроводника галијум арсенида (ГаАс).
Увод
Захтеви за пријаву
Спецификације система
Ток обраде
Цустомер Цасе
Галијум арсенид (ГаАс) се широко користи у високо-комуникацијама, фотоелектричној конверзији, соларним ћелијама и микроталасним уређајима због велике покретљивости електрона, директног појаса и одличних РФ перформанси. Уређаји засновани на ГаАс-имају незаменљиву улогу у 5Г комуникацији, радарским системима и интегрисаним оптоелектронским колима. Да би се испунили захтеви производње уређаја високих{5}}перформанси, ГаАс плочице захтевају прецизно брушење да би се уклонила оштећења резања, након чега следи хемијско механичко полирање (ЦМП) да би се постигла ултра-глатка површина, обезбеђујући тачност и поузданост накнадне производње уређаја.
Захтеви за пријаву
Обрада ГаАс плочице мора да постигне следеће циљеве:
Храпавост површине: Ра након{0}полирања Ра мањи од или једнак 1 нм
Варијација укупне дебљине (ТТВ): Финална вафера ТТВ мања или једнака 2 µм
Контрола дебљине: Циљна дебљина 150 µм (у зависности од захтева купаца)
Равност ивица: Спречите ломљење и обезбедите интегритет области уређаја.
Спецификације система
ХСМ систем прецизног лепљења и полирања пружа комплетно{0}}процесно решење.
Ток обраде
Припрема за лепљење
Користите мерач за испитивање равности да калибришете конвексност стаклене плоче за лепљење (користи се за компензацију ефеката ивица полирања).
Убаците ГаАс плочицу на наменски уређај (АСЈ). Извршите два-степена преливања помоћу глинице:
Фаза 1: Уклоните претходна оштећења, смањујући храпавост на 250-350 нм.
Фаза 2: Побољшајте равност, постижући храпавост од 200-350 нм и ТТВ мањи од или једнак 3 µм.
Напомена: Величина абразивних честица треба да се одреди на основу почетне и коначне дебљине узорка; нема фиксне величине абразива.
Припрема за полирање
Замените плочу за брушење са полирном подлогом и пребаците абразив на ХСМ специјализовани раствор за полирање.
Контролишите кључне параметре преко графичког интерфејса:
Брзина плоче за полирање: Мања или једнака 100 о/мин
Брзина протока стајњака: Надгледан од стране-система за контролу довода у реалном времену (смањује отпад)
Оптерећење притиска: Динамички подешено на основу захтева за дебљином.
Циљ: Уклоните под-површинско оштећење и постигнете атомски глатку површину (Ра мањи од или једнак 1 нм).
Резултати
ГаАс плочице од 4-инча обрађене у систему ХСМ-ЛП постигле су следеће перформансе:
Случај купца
Клијент је користио ХСМ-ЛП систем за обраду ГаАс плочице од 3 инча. Процес и резултати су следећи:
Дво-брушење:
Конвексност брусне плоче калибрисана према циљној кривини, ефикасно контролишећи савијање ивица.
Материјал је уклоњен постепено са суспензијом алуминијума, ТТВ стабилизован на 3 µм.
Полирање:
Брзина протока суспензије за полирање подешена на 50 мл/мин, брзина плоче на 80 о/мин.
Храпавост површине смањена са 250 нм на 0,8 нм (проверено интерферометром беле светлости).
Коначни показатељи:
Дебљина: 150 ± 0,5 µм
Равност: ТТВ мањи или једнак 1 µм
Интегритет ивице: Без ломљења, добра равна ивица.
Техничка валидација
Шема: Морфологија површине ГаАс плочице након обраде помоћу ХСМ-ЛП система.
Напомене:
Опрема за мерење: Брукер ЦонтоурГТ интерферометар беле светлости
Потпуни-принос процеса: већи или једнак 96% (величина серије од 30 вафла)
